供电
每一代ROG主板必须改的设计就是供电,不能说一定成本一代比一代高,但也可以说对应CPU的供电规范都会采用效率最高的方案。其实从M6I开始的供电就已经非常用心了,包括10K订制黑金固态电容,黑翼订制电感,PowIRStage开关管,几乎差不多把ROG顶级的方案都用上了,这从之前的Delxue系列ITX就用体现。 Impact power III供电模块的金属背板
两颗螺丝固定 内部有导热垫 厚度约为1.03mm 有条件的可以订制更给力的背板 背面 背面
背面能看到两颗Digi+ VRM供电PWM主控芯片,跟M7I的ASP1257型号不同,M8I中央一颗是最新ASP1405供电主控,可以支持8相数字总线供电,另外一颗ASP1103是内存的两相供电主控,这颗主控跟M7I是相同的。 ASP1405核心8相供电主控 ASP1103两相内存供电主控 拆掉供电元件的散热片 散热片特写
注意ROG logo下面的字体有变化 明显这代M8I更好看了一些(个人见解) 这就是Impact Power III供电的全部IC元件 这代如果说我认为有信仰缩减的元件那就是电感了,到不是说效能有多大变化,之前M7I的黑翼电感信仰满满的外观这次换成了粉末花超合金电感了,外观上就是我们常见的合金电感风格,而包括接下来的M8E也是采用这种电感,估计性能应该没有折扣的,但外观就那啥了。供电单元的电容输出侧都是尼吉康订制的10K黑金固态电容,Mosfet采用的整合了Driver以及上下桥的高整合度的IR3553开关管,内阻很低发热量低,这款mosfet型号跟M7I是相同的,不过更好的方案是接下来M8E以及上一代M7F采用的Ti德仪专利的NexFet 87350D,我估计如果M8I供电完全跟M8E一致的话可能就会扰乱自家ROG系列的市场策略了,其实ROG团队已经对M8I最大限度地照顾了,为的是最强小钢炮的决定版方案! up0109P是待机供电芯片 应该是为了这代Skylake全新的待机供电规范而设计的 能看到纯铜镀金的PCB接线 内存供电还是采用了TI NexFet技术的87588N mosfet阻抗据说是2.9mΩ |
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