PCB&供电
左:M8E 中:M8F 右:M7F 大家对比一下M8E、M8F和M7F的内存供电部分,另外通过对比能发现M8F取消了电压测量点,这个也能理解,一方面是PCB布局难度增加空间有限,再有老大哥Extrem老大哥回归了就不能太张扬了,其实在元件IC复杂度上Formula跟Extreme比起来也在同一个级别,大家有兴趣的话可以看一下M8H的PCB,除了个别位置能看到M8F有些成本优化,其余芯片和接口方面则是有增无减,再加上真正支持PCIe 3.0 x4总线的M.2和U.2,这也是M7F跟M8F差距最大的一点。 ROG Maximus VIII Formula PCB部分 整体 我估计没有几个人会裸着用M8F,除了放弃了盔甲内部的RGB led设计以外还要面对这样的PCH散热器,着实有点不爽,所以还是老老实实地穿着衣服用吧。 整体 整体 CPU供电VRM单元对比 上图是几款板子的供电对比,其中M8E跟M8F的核心元件基本是相同的,其中M8E是13相供电,Mosfet用的是官方成为OptiMOS的型号,而M8F则是跟M7F一样都是NexFET,貌似NexFET规格比OptiMOS还要高一些,不过差异不大,而且M8E采用的OptiMOS是13相供电输出用。大家可以注意一下电感的差异,M7F的黑翼订制电感在耀眼程度上明显要更占优势。 供电特写 8相供电 收购了富士通电容部门后的Nichicon 这是专门定制的FP10K固态电容 ASP1405 核心供电PWM主控芯片 支持8相供电 跟M8I是相同的方案 M8F另外还有一个2相PWM主控负责核显 这里我们还要对比一下M8E,M8F总共10相供电采用了一颗ASP1405 PWM主控和另外一颗2相PWM芯片,而M8E则是采用总共13相供电,用了两颗ASP1405芯片,所以在供电方面的差异这代Formula和Extreme还是有一定区别的。 Ti德仪专利的NexFet 87350D 整合了一上两下的Mosfet 发热量较高 开关频率可以达到800KHz 主板背面的Mosfet Driver 一共10颗对应10相供电 Mosfet Driver采用的IR3535M 内存供电部分,因为空间不得不比M7F降低了一些规格 不过跟M8E也是相同级别的 ASP1103内存供电主控 9R1404 mosfet 一上一下的设计 |
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