供电&芯片
Broadwell-E架构跟Haswell-E相同,都是CPU内部加了发热量较高的FIVR(全整合电压调节模块),事实证明Haswell上面的这个方案的表现就是Intel玩脱的节奏,这次Broadwell-E也是整合了FIVR,所以核心超频依然比较困难,这个锅真得Intel来背。CPU内有了FIVR后主板的供电就可以得到一定的简化,其实就是Intel初衷想帮助主板厂商简化供电设计难度,但却牺牲了用户体验,高温和不好超! R5E10周年CPU VRM部分 跟R5E基本相同8相CPU供电 内存是各2相供电 供电位置背面也有并联高品质的MLCC 核心8相供电的主控ASP1257 控制8颗IR3555 PowlRstage Mosfet 疑似存供电仲裁IC 华硕包括杜蕾斯X99也都有这颗芯片 CPU VRM的MOSFET是IR3555 整合了Mosfet Driver跟R5E一样,应该是PCB空间不够而采用了这种高整合度的方案,内阻同样很低。在BIOS的Digi+ VRM设置中可以达到600KHz的开关频率。 一组两相通道的内存供电主控 ASP1250 另外一边内存附近还有一颗 另外一组两相通道的内存供电主控 接口部分的保护IC R5E10周年这种级别的板子在这些细节方面做得也是极致 大量的ASM1480实现PCIE 3.0 x16的通道切换 有点类似HUB的作用 但真正扩展怎么支持取决于CPU 板载的大颗RGB LED X99 PCH 芯片 跟CPU是通过DMI 2.0总线传输 Z170是DMI 3.0 带宽翻了一倍 所以说LGA2011v3的CPU包含的PCIE通道数对多卡扩展影响是很大的。 PCB 背面的ROG功能IC 这也是华硕ROG主板坚持到今天都不放弃的特色扩展 |
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