这代X570平台的华硕主板绝对是全开花了，有史以来最大诚意，全力助攻AMD！ROG Crosshair、ROG Strix、Prime、TUF、Pro WS，5大系列均有X570方案的主板，7nm的Ryzen 3900不多说了，这个Yes是AMD的，但在体验上的Yes，华硕这次绝对做了新的诠释！
不看CPU，这代主板我相中了两款，这两款让我绝对有玩的动力！NO.1 Crosshair VII Hero，NO.2 Crosshair VII Impact！
全开花
这代x570很推荐的C8H 超频，散热与价格相比C8F更为推荐
华硕全球主板事业部总经理Albert对两大硬核技术做了细致的讲解
硬核技术1：Teamed Power Stage
下午各大媒体有点昏昏欲睡疲惫的时候，Albert带来了两大硬核技术的解析！Albert之前在USB 3.1接口技术讲解的时候有接触过，技术和严谨向的一个人。其中最为受用的技术就是PWM供电结构的更新，从原来多年的Phase Doubled（相位倍增）进化到了Teamed Power Stage，这个进化取消了VRM中PWM主控和Mosfet之间的倍相控制芯片，并且从PWM主控芯片的算法上做了很大的改进，可以带来更稳定的电压输出，更匹配CPU频率负载同时更灵敏的电压输出波动，最重要的是极大幅度降低了CPU供电部分Mosfet的温度，现场做了真机平台的演示！
Teamed Power相比传统相位倍增方案的结构变化
优势对比
电压瞬态表现对比曲线
现场用的是一张最新的Crosshair VII Hero
搭配一颗2700X，在Prime95@Avx烤机压力下，Mosfet在没有散热片的情况下，最高温度仅为46℃！有点小逆天，这个原理其实就是通过新算法订制的PWM主控在CPU和Mosfet等IC的温度和电流反馈下实现更迅速精准的电压控制，让Mosfet元件更多时间可以工作在较低负载的情况下，同时还保持了输出的稳定性，特别是电压的精准性！
两种供电方案的纹波对比
高负载下两种供电方案的Vpp对比 Teamed Power明显更加精准
现场有展示平台
热成像显示Mosfet温度
展示的C8H平台 Mosfet没有散热片
这个Teamed Power主要技术是算法，这个是华硕独家的，PWM主控方案也是订制的，最新采用Teamed Power供电方案的将是这批高端的X570主板，不局限于ROG，以后Intel新的平台也会采用，这个温度表现对于超频来说非常受用。在考虑ROG用户对于超频需求的情况，Teamed Power尽管是被动技能，但在BIOS中也可以有几档step来进行优化，来方便平衡输出能力和效率精准度。据悉，搭配Teamed Power供电方案后，其输出精准度范围中，Corsshair VIII会更优秀，比Strix来说，但整体范围比起传统的Phase Doubled PWM方案来说显然效果要好很多，无论哪款主板。M11E用户有没有想哭的感觉！
硬核技术2：OptiMem III
优化内存的神机，基于底层硬件的优化，使得高频内存在这代高阶X570主板上更容易跑出高频，现场用了C8H做了演示对比，同一套内存，在支持OptiMem III的平台上稳定跑出了3800的频率，Memtest烤机没有报错，而在另外一个不支持OptiMem III的C8H上，则同时序和电压参数设置下3600频率就开始报错！
本身AMD这代7nm的Ryzen优化了内存控制器，并且内存厂商也会针对Ryzen推出更多高频内存，那么显然OptiMem III技术将是这代Ryzen内存Yes的最好保障！Yes一下吧
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发表于 2019-5-28 07:44
发表于 2019-5-28 07:56
发表于 2019-5-28 10:34
闻到香味了，坐等上菜